BSM75GB170DN2HOSA1

رقم جزء الشركة المصنعة:	BSM75GB170DN2HOSA1
الصانع:	Rochester Electronics
جزء من الوصف:	IGBT, 110A I(C), 1700V V(BR)CES,
جداول البيانات:	BSM75GB170DN2HOSA1 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر Rochester Electronics # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Bulk
حالة الجزء	Active
نوع IGBT	-
إعدادات	Half Bridge
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى)	1.7 V
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)	110 A
أقصى القوة	625 W
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic	3.9V @ 15V, 75A
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى)	-
سعة الإدخال (Cies) @ Vce	11 nF @ 25 V
إدخال	Standard
NTC الثرمستور	No
درجة حرارة التشغيل	150°C (TJ)
نوع التركيب	Chassis Mount
العبوة / العلبة	Module
حزمة جهاز المورد	Module

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 1015

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	BSM75GB60DLCHOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GAR120DN2HOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GD120DLCBOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GB120DN2HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GP60BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GB120DLCHOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GAL120DN2HOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GB170DN2HOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GD60DLCBOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GB120DN2_E3223C-SE Rochester Electronics

هذا المنتج اضيف الى عربتك.