Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / GT60N321(Q)
الصورة للرجوع إليها ، يرجى الاتصال بنا للحصول على الصورة الحقيقية
GT60N321(Q)
| رقم جزء الشركة المصنعة: | GT60N321(Q) |
| الصانع: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| جزء من الوصف: | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| جداول البيانات: | GT60N321(Q) جداول البيانات |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS |
| حالة المخزون: | في الأوراق المالية |
| الشحن من: | Hong Kong |
| طريقة الشحن: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ملاحظة
- يتوفر Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.
سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.
تخصيص
| نوع | وصف |
|---|---|
| مسلسل | - |
| صفقة | Tube |
| حالة الجزء | Obsolete |
| نوع IGBT | - |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 1000 V |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 60 A |
| التيار - المجمع النبضي (Icm) | 120 A |
| Vce (on) (Max) @ Vge، Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| أقصى القوة | 170 W |
| تحويل الطاقة | - |
| نوع الإدخال | Standard |
| اجره البوابه | - |
| Td (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية | 330ns/700ns |
| شرط الاختبار | - |
| وقت الاسترداد العكسي (trr) | 2.5 µs |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| العبوة / العلبة | TO-3PL |
| حزمة جهاز المورد | TO-3P(LH) |
حالة الرصيد، وضع مخزون: نفس الشحن يوم
الحد الأدنى: 1
| كمية | سعر الوحدة | تحويلة. سعر |
|---|---|---|
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ |
||
حساب الشحن
40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.
تصل في 3-5 أيام
Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل
النماذج الشعبية
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
تمت الإضافة إلى عربة التسوق!
هذا المنتج اضيف الى عربتك.