GA50JT06-258

رقم جزء الشركة المصنعة:	GA50JT06-258
الصانع:	GeneSiC Semiconductor
جزء من الوصف:	TRANS SJT 600V 100A TO258
جداول البيانات:	GA50JT06-258 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر GeneSiC Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Bulk
حالة الجزء	Active
نوع FET	-
تقنية	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	600 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	100A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	-
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	25mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	-
Vgs (ماكس)	-
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	-
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	769W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 225°C (TJ)
نوع التركيب	Through Hole
حزمة جهاز المورد	TO-258
العبوة / العلبة	TO-258-3, TO-258AA

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: نفس الشحن يوم

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

هذا المنتج اضيف الى عربتك.