BSM300C12P3E301

رقم جزء الشركة المصنعة:	BSM300C12P3E301
الصانع:	ROHM Semiconductor
جزء من الوصف:	SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
جداول البيانات:	BSM300C12P3E301 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر ROHM Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Bulk
حالة الجزء	Active
نوع FET	N-Channel
تقنية	SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	1200 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	300A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	-
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 80mA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	-
Vgs (ماكس)	+22V, -4V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	1500 pF @ 10 V
ميزة FET	Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	1360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	-
حزمة جهاز المورد	Module
العبوة / العلبة	Module

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 3

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
	BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

هذا المنتج اضيف الى عربتك.