G3R30MT12K

رقم جزء الشركة المصنعة:	G3R30MT12K
الصانع:	GeneSiC Semiconductor
جزء من الوصف:	SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
جداول البيانات:	G3R30MT12K جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر GeneSiC Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	G3R™
صفقة	Tube
حالة الجزء	Active
نوع FET	N-Channel
تقنية	SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	1200 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	90A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	15V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	36mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 12mA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	155 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)	±15V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	3901 pF @ 800 V
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب	Through Hole
حزمة جهاز المورد	TO-247-4
العبوة / العلبة	TO-247-4

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 300

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor

هذا المنتج اضيف الى عربتك.