BS2103F-E2

رقم جزء الشركة المصنعة:	BS2103F-E2
الصانع:	ROHM Semiconductor
جزء من الوصف:	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
جداول البيانات:	BS2103F-E2 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر ROHM Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
حالة الجزء	Active
تكوين مدفوعة	Half-Bridge
نوع القناة	Independent
عدد السائقين	2
نوع البوابة	IGBT, N-Channel MOSFET
الجهد - العرض	10V ~ 18V
الجهد المنطقي - VIL ، VIH	1V, 2.6V
التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة)	60mA, 130mA
نوع الإدخال	Non-Inverting
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)	600 V
وقت الصعود / الهبوط (نموذجي)	200ns, 100ns
درجة حرارة التشغيل	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
العبوة / العلبة	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
حزمة جهاز المورد	8-SOP

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 44

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

هذا المنتج اضيف الى عربتك.