ROHM Semiconductor / EMG3T2R
الصورة للرجوع إليها ، يرجى الاتصال بنا للحصول على الصورة الحقيقية
EMG3T2R
| رقم جزء الشركة المصنعة: | EMG3T2R |
| الصانع: | ROHM Semiconductor |
| جزء من الوصف: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 |
| جداول البيانات: | EMG3T2R جداول البيانات |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS |
| حالة المخزون: | في الأوراق المالية |
| الشحن من: | Hong Kong |
| طريقة الشحن: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ملاحظة
- يتوفر ROHM Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.
سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.
تخصيص
| نوع | وصف |
|---|---|
| مسلسل | - |
| صفقة | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| حالة الجزء | Active |
| نوع الترانزستور | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 100mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
| المقاوم - القاعدة (R1) | 4.7kOhms |
| المقاوم - قاعدة الباعث (R2) | - |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 500nA (ICBO) |
| التردد - الانتقال | 250MHz |
| أقصى القوة | 150mW |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | SC-75, SOT-416 |
| حزمة جهاز المورد | EMT3 |
حالة الرصيد، وضع مخزون: 7990
الحد الأدنى: 1
| كمية | سعر الوحدة | تحويلة. سعر |
|---|---|---|
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ |
||
حساب الشحن
40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.
تصل في 3-5 أيام
Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل
النماذج الشعبية
 |
ROHM Semiconductor |
تمت الإضافة إلى عربة التسوق!
هذا المنتج اضيف الى عربتك.