SI5513CDC-T1-GE3

رقم جزء الشركة المصنعة:	SI5513CDC-T1-GE3
الصانع:	Vishay / Siliconix
جزء من الوصف:	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
جداول البيانات:	SI5513CDC-T1-GE3 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر Vishay / Siliconix # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	TrenchFET®
صفقة	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
حالة الجزء	Active
نوع FET	N and P-Channel
ميزة FET	Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	20V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	4A, 3.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	4.2nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	285pF @ 10V
أقصى القوة	3.1W
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
العبوة / العلبة	8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد	1206-8 ChipFET™

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 6819

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

هذا المنتج اضيف الى عربتك.