BSO615CT

رقم جزء الشركة المصنعة:	BSO615CT
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
جزء من الوصف:	MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
جداول البيانات:	BSO615CT جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر IR (Infineon Technologies) # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	SIPMOS®
صفقة	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
حالة الجزء	Obsolete
نوع FET	N and P-Channel
ميزة FET	Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	60V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	3.1A, 2A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	22.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	380pF @ 25V
أقصى القوة	2W
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
العبوة / العلبة	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد	PG-DSO-8

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: نفس الشحن يوم

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	BSO615CT IR (Infineon Technologies)
	BSO615NGHUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSO615CGHUMA1 Rochester Electronics
	BSO612CVGHUMA1 Rochester Electronics
	BSO615N IR (Infineon Technologies)
	BSO612CV IR (Infineon Technologies)
	BSO604NS2XUMA1 IR (Infineon Technologies)

هذا المنتج اضيف الى عربتك.