BSM180D12P3C007

رقم جزء الشركة المصنعة:	BSM180D12P3C007
الصانع:	ROHM Semiconductor
جزء من الوصف:	SIC POWER MODULE
جداول البيانات:	BSM180D12P3C007 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر ROHM Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Bulk
حالة الجزء	Active
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
ميزة FET	Silicon Carbide (SiC)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	1200V (1.2kV)
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	180A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 50mA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	-
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	900pF @ 10V
أقصى القوة	880W
درجة حرارة التشغيل	175°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
العبوة / العلبة	Module
حزمة جهاز المورد	Module

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 11

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

هذا المنتج اضيف الى عربتك.