CSD85312Q3E

رقم جزء الشركة المصنعة:	CSD85312Q3E
الصانع:	Texas Instruments
جزء من الوصف:	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
جداول البيانات:	CSD85312Q3E جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر Texas Instruments # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	NexFET™
صفقة	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
حالة الجزء	Active
نوع FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
ميزة FET	Logic Level Gate, 5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	20V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	39A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	2390pF @ 10V
أقصى القوة	2.5W
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
العبوة / العلبة	8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد	8-VSON (3.3x3.3)

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 3607

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

هذا المنتج اضيف الى عربتك.