A2G35S200-01SR3

رقم جزء الشركة المصنعة:	A2G35S200-01SR3
الصانع:	NXP Semiconductors
جزء من الوصف:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
جداول البيانات:	A2G35S200-01SR3 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر NXP Semiconductors # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
حالة الجزء	Active
نوع الترانزستور	GaN HEMT
تكرر	3.4GHz ~ 3.6GHz
مكسب	16.1dB
الجهد - اختبار	48 V
التصنيف الحالي (أمبير)	-
الرقم الضوضاء	-
الاختبار الحالي	291 mA
مخرج قوي	180W
الجهد - تقييمه	125 V
العبوة / العلبة	NI-400S-2S
حزمة جهاز المورد	NI-400S-2S

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 182

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

هذا المنتج اضيف الى عربتك.