1N8026-GA

رقم جزء الشركة المصنعة:	1N8026-GA
الصانع:	GeneSiC Semiconductor
جزء من الوصف:	DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
جداول البيانات:	1N8026-GA جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر GeneSiC Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Tube
حالة الجزء	Obsolete
نوع الصمام الثنائي	Silicon Carbide Schottky
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)	1200 V
الحالي - متوسط المعدل (Io)	8A (DC)
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا	1.6 V @ 2.5 A
سرعة	No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)	0 ns
الحالي - عكس التسرب @ Vr	10 µA @ 1200 V
السعة @ Vr ، F	237pF @ 1V, 1MHz
نوع التركيب	Through Hole
العبوة / العلبة	TO-257-3
حزمة جهاز المورد	TO-257
درجة حرارة التشغيل - مفرق	-55°C ~ 250°C

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: نفس الشحن يوم

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

هذا المنتج اضيف الى عربتك.