NGB8207ABNT4G

رقم جزء الشركة المصنعة:	NGB8207ABNT4G
الصانع:	Rochester Electronics
جزء من الوصف:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
جداول البيانات:	NGB8207ABNT4G جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر Rochester Electronics # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Bulk
حالة الجزء	Active
نوع IGBT	-
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى)	365 V
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)	20 A
التيار - المجمع النبضي (Icm)	50 A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic	2.2V @ 3.7V, 10A
أقصى القوة	165 W
تحويل الطاقة	-
نوع الإدخال	Logic
اجره البوابه	-
Td (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية	-
شرط الاختبار	-
وقت الاسترداد العكسي (trr)	-
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
العبوة / العلبة	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد	D2PAK

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 31696

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	NGB8207NT4G Rochester Electronics
	NGB8204ANT4G Rochester Electronics
	NGB8206NT4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NGB8206NSL3 Rochester Electronics
	NGB8207ABNT4G Rochester Electronics
	NGB8204NT4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NGB8207BNT4G Rochester Electronics
	NGB8202ANT4G Wickmann / Littelfuse
	NGB8206ANTF4G Rochester Electronics
	NGB8206NSL3G Rochester Electronics

هذا المنتج اضيف الى عربتك.