GA10JT12-263

رقم جزء الشركة المصنعة:	GA10JT12-263
الصانع:	GeneSiC Semiconductor
جزء من الوصف:	TRANS SJT 1200V 25A
جداول البيانات:	GA10JT12-263 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر GeneSiC Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Tube
حالة الجزء	Active
نوع FET	-
تقنية	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	1200 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	25A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	-
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	120mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	-
Vgs (ماكس)	-
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	1403 pF @ 800 V
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	175°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
حزمة جهاز المورد	-
العبوة / العلبة	-

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 170

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

هذا المنتج اضيف الى عربتك.