RM4N650IP

رقم جزء الشركة المصنعة:	RM4N650IP
الصانع:	Rectron USA
جزء من الوصف:	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر Rectron USA # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Tube
حالة الجزء	Active
نوع FET	N-Channel
تقنية	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	650 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	4A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	-
Vgs (ماكس)	±30V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	280 pF @ 50 V
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	46W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Through Hole
حزمة جهاز المورد	TO-251
العبوة / العلبة	TO-251-3 Stub Leads, IPak

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: نفس الشحن يوم

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

هذا المنتج اضيف الى عربتك.