SPB21N50C3ATMA1

رقم جزء الشركة المصنعة:	SPB21N50C3ATMA1
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
جزء من الوصف:	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
جداول البيانات:	SPB21N50C3ATMA1 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر IR (Infineon Technologies) # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	CoolMOS™
صفقة	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
حالة الجزء	Not For New Designs
نوع FET	N-Channel
تقنية	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	560 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	21A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)	±20V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	2400 pF @ 25 V
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Surface Mount
حزمة جهاز المورد	PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 1047

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	SPB20N60S5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB21N10T IR (Infineon Technologies)
	SPB21N50C3ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB21N10 IR (Infineon Technologies)
	SPB21N10 G IR (Infineon Technologies)
	SPB20N60C3ATMA1 IR (Infineon Technologies)

هذا المنتج اضيف الى عربتك.