BSM180C12P2E202

رقم جزء الشركة المصنعة:	BSM180C12P2E202
الصانع:	ROHM Semiconductor
جزء من الوصف:	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
جداول البيانات:	BSM180C12P2E202 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر ROHM Semiconductor # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	-
صفقة	Tray
حالة الجزء	Active
نوع FET	N-Channel
تقنية	SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	1200 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	204A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	-
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	-
Vgs (ماكس)	+22V, -6V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	20000 pF @ 10 V
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	1360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	175°C (TJ)
نوع التركيب	Chassis Mount
حزمة جهاز المورد	Module
العبوة / العلبة	Module

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 4

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

هذا المنتج اضيف الى عربتك.