BUZ30AHXKSA1

رقم جزء الشركة المصنعة:	BUZ30AHXKSA1
الصانع:	Rochester Electronics
جزء من الوصف:	PFET, 21A I(D), 200V, 0.13OHM, 1
جداول البيانات:	BUZ30AHXKSA1 جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر Rochester Electronics # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	SIPMOS®
صفقة	Bulk
حالة الجزء	Active
نوع FET	N-Channel
تقنية	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	200 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	21A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	-
Vgs (ماكس)	±20V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	1.9 pF @ 25 V
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Through Hole
حزمة جهاز المورد	PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة	TO-220-3

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 2071

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	BUZ30AH3045A Rochester Electronics
	BUZ31L H IR (Infineon Technologies)
	BUZ31L IR (Infineon Technologies)
	BUZ30AHXKSA1 Rochester Electronics
	BUZ30A IR (Infineon Technologies)
	BUZ31H3046XKSA1 Rochester Electronics
	BUZ30A E3045A IR (Infineon Technologies)
	BUZ30AH3045AATMA1 Rochester Electronics
	BUZ32 E3045A IR (Infineon Technologies)
	BUZ31HXKSA1 Rochester Electronics

هذا المنتج اضيف الى عربتك.