Microsemi / 2N6849
الصورة للرجوع إليها ، يرجى الاتصال بنا للحصول على الصورة الحقيقية
2N6849
| رقم جزء الشركة المصنعة: | 2N6849 |
| الصانع: | Microsemi |
| جزء من الوصف: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| جداول البيانات: | 2N6849 جداول البيانات |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS |
| حالة المخزون: | في الأوراق المالية |
| الشحن من: | Hong Kong |
| طريقة الشحن: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ملاحظة
- يتوفر Microsemi # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.
سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.
تخصيص
| نوع | وصف |
|---|---|
| مسلسل | - |
| صفقة | Bulk |
| حالة الجزء | Obsolete |
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 100 V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 6.5A (Tc) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (ماكس) | ±20V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | - |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| حزمة جهاز المورد | TO-39 |
| العبوة / العلبة | TO-205AF Metal Can |
حالة الرصيد، وضع مخزون: نفس الشحن يوم
الحد الأدنى: 1
| كمية | سعر الوحدة | تحويلة. سعر |
|---|---|---|
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ |
||
حساب الشحن
40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.
تصل في 3-5 أيام
Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل
تمت الإضافة إلى عربة التسوق!
هذا المنتج اضيف الى عربتك.