FDI33N25TU

رقم جزء الشركة المصنعة:	FDI33N25TU
الصانع:	Rochester Electronics
جزء من الوصف:	MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
جداول البيانات:	FDI33N25TU جداول البيانات
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون:	في الأوراق المالية
الشحن من:	Hong Kong
طريقة الشحن:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ملاحظة: يتوفر Rochester Electronics # C1 # في chipnets.com. نحن نبيع الأجزاء الجديدة والأصلية فقط ونقدم ضمانًا لمدة سنة واحدة. إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أفضل ، فيرجى الاتصال بنا والنقر فوق الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال عرض أسعار إلينا.

سيتم تعبئة جميع مكونات Eelctronics بأمان شديد بواسطة الحماية من الكهرباء الساكنة من التفريغ الكهروستاتيكي.

package

تخصيص

نوع	وصف
مسلسل	UniFET™
صفقة	Tube
حالة الجزء	Obsolete
نوع FET	N-Channel
تقنية	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)	250 V
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية	33A (Tc)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)	10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs	94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)	±30V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds	2.135 pF @ 25 V
ميزة FET	-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	235W (Tc)
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب	Through Hole
حزمة جهاز المورد	I2PAK (TO-262)
العبوة / العلبة	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

خيارات الشراء

حالة الرصيد، وضع مخزون: 617

الحد الأدنى: 1

كمية	سعر الوحدة	تحويلة. سعر
السعر غير متوفر ، من فضلك RFQ

حساب الشحن

40 دولارًا أمريكيًا بواسطة FedEx.

تصل في 3-5 أيام

Express: (FEDEX ، UPS ، DHL ، TNT) شحن مجاني على أول 0.5 كجم للطلبات التي تزيد عن 150 دولارًا ، سيتم فرض الوزن الزائد بشكل منفصل

النماذج الشعبية

	FDI3632 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDI33N25TU Rochester Electronics
	FDI3652 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

هذا المنتج اضيف الى عربتك.